收藏本站
DMN21D2UFB
1.0
1.4
1.3
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = 2.5 V
I D = 250mA
V GS = 4.5V
I D = 500mA
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
I D = 250μA
I D = 1mA
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
Fig. 7 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
C iss
0.5
0.4
T A = 150°C
10
0.3
T A = 125°C
T A = 85°C
C oss
0.2
0.1
0
T A = 25°C
T A = -55°C
1
f = 1MHz
C rss
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
10
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Junction Capacitance
8
V DS = 10V
I D = 250m A
1
R DS(on)
Limited
6
4
0.1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
2
0.01 T J(max) = 150°C
T A = 25°C
V GS = 8V
Single Pulse
P W = 100μs
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
0.001 DUT on 1 * MRP Board
0.1 1 10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate Charge
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
DMN21D2UFB
Document number: DS35564 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN2215UDM-7 MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26
DMN2230U-7 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
DMN2300U-7 MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
DMN2300UFB4-7B MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3
DMN2300UFD-7 MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN
DMN2400UFB-7 MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3
DMN2400UFB4-7 MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
DMN2400UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
相关代理商/技术参数
DMN2215UDM 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2215UDM-7 功能描述:MOSFET 650mW 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2230U 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2230U-7 功能描述:MOSFET 600mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2250UFB-7B 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH 20V 1.35A X1DFN10063 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-channel 20V 1.35A DFN1006-3
DMN2300U 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 ESD Protected Gate 2kV
DMN2300U-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2300UFB 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET